Kā mēs visi zinām, vakuuma pārklāšanā parasti izmanto vakuuma iztvaikošanu un jonu izsmidzināšanu.Kāda ir atšķirība starp iztvaikošanas pārklājumu un izsmidzināšanas pārklājumu?Tālāk ar mums dalīsies RSM tehniskie eksperti.
Vakuuma iztvaicēšanas pārklājums ir iztvaicējamā materiāla uzsildīšana līdz noteiktai temperatūrai ar pretestības sildīšanas vai elektronu staru un lāzera bombardēšanas palīdzību vidē ar vakuuma pakāpi, kas nav mazāka par 10-2Pa, lai molekulu termiskās vibrācijas enerģija vai atomi materiālā pārsniedz virsmas saistīšanas enerģiju, tāpēc liels skaits molekulu vai atomu iztvaiko vai sublimējas un tieši nogulsnējas uz substrāta, veidojot plēvi.Jonu izsmidzināšanas pārklājums izmanto pozitīvo jonu ātrgaitas kustību, ko rada gāzizlāde elektriskā lauka iedarbībā, lai bombardētu mērķi kā katodu, tādējādi mērķa atomi vai molekulas izplūst un izgulsnējas uz pārklātās sagataves virsmas. nepieciešamo filmu.
Visbiežāk izmantotā vakuuma iztvaikošanas pārklājuma metode ir pretestības sildīšana, kuras priekšrocības ir vienkārša struktūra, zemas izmaksas un ērta darbība;Trūkums ir tāds, ka tas nav piemērots ugunsizturīgiem metāliem un augstas temperatūras izturīgiem dielektriskiem materiāliem.Elektronu staru sildīšana un lāzera sildīšana var novērst pretestības sildīšanas trūkumus.Elektronu staru sildīšanā fokusētais elektronu stars tiek izmantots, lai tieši uzsildītu bombardēto materiālu, un elektronu stara kinētiskā enerģija kļūst par siltumenerģiju, kas liek materiālam iztvaikot.Lāzera apkurei kā apkures avots tiek izmantots lieljaudas lāzers, taču lielas jaudas lāzera izmaksu dēļ to pašlaik var izmantot tikai dažās pētniecības laboratorijās.
Izsmidzināšanas tehnoloģija atšķiras no vakuuma iztvaicēšanas tehnoloģijas.“Izputināšana” attiecas uz parādību, ka lādētas daļiņas bombardē cieto virsmu (mērķi) un liek cietiem atomiem vai molekulām izšaut no virsmas.Lielākā daļa izdalīto daļiņu ir atomu stāvoklī, ko bieži sauc par izsmidzinātajiem atomiem.Izsmidzinātās daļiņas, ko izmanto mērķa bombardēšanai, var būt elektroni, joni vai neitrālas daļiņas.Tā kā jonus ir viegli paātrināt zem elektriskā lauka, lai iegūtu nepieciešamo kinētisko enerģiju, lielākā daļa no tiem izmanto jonus kā bombardētas daļiņas.Izsmidzināšanas procesa pamatā ir kvēlizlāde, tas ir, izsmidzināšanas joni nāk no gāzizlādes.Dažādas izsmidzināšanas tehnoloģijas izmanto dažādus kvēlspuldzes izlādes režīmus.Līdzstrāvas diodes izsmidzināšanai izmanto līdzstrāvas kvēlspuldzes izlādi;Triodes izsmidzināšana ir mirdzošā izlāde, ko atbalsta karstais katods;RF izsmidzināšanai izmanto RF kvēlspuldzes izlādi;Magnetronu izsmidzināšana ir spīduma izlāde, ko kontrolē gredzenveida magnētiskais lauks.
Salīdzinot ar vakuuma iztvaikošanas pārklājumu, izsmidzināšanas pārklājumam ir daudz priekšrocību.Piemēram, var izsmidzināt jebkuru vielu, īpaši elementus un savienojumus ar augstu kušanas temperatūru un zemu tvaika spiedienu;Saķere starp izsmidzināto plēvi un pamatni ir laba;Augsts plēves blīvums;Plēves biezumu var kontrolēt, un atkārtojamība ir laba.Trūkums ir tāds, ka iekārta ir sarežģīta un prasa augstsprieguma ierīces.
Turklāt iztvaicēšanas metodes un izsmidzināšanas metodes kombinācija ir jonu pārklāšana.Šīs metodes priekšrocības ir tādas, ka iegūtajai plēvei ir spēcīga saķere ar substrātu, augsts nogulsnēšanās ātrums un augsts plēves blīvums.
Izlikšanas laiks: 20. jūlijs 2022