Kā mēs visi zinām, mērķa materiālu tehnoloģiju attīstības tendence ir cieši saistīta ar filmu tehnoloģiju attīstības tendenci pakārtoto lietojumu nozarē.Līdz ar plēvju izstrādājumu vai komponentu tehnoloģisko uzlabošanu lietojumprogrammu nozarē, jāmainās arī mērķa tehnoloģijai.Piemēram, Ic ražotāji pēdējā laikā ir koncentrējušies uz zemas pretestības vara vadu izstrādi, kas tuvāko gadu laikā ir paredzams, ka būtiski aizstās oriģinālo alumīnija plēvi, tāpēc vara mērķu un tiem nepieciešamo barjeras mērķu izstrāde būs steidzama.
Turklāt pēdējos gados plakano paneļu displejs (FPD) lielā mērā ir aizstājis uz katodstaru lampu (CRT) balstīto datoru displeju un televīzijas tirgu.Tas arī ievērojami palielinās tehnisko un tirgus pieprasījumu pēc ITO mērķiem.Un tad ir uzglabāšanas tehnoloģija.Pieprasījums pēc augsta blīvuma, lielas ietilpības cietajiem diskiem un liela blīvuma dzēšamiem diskiem turpina pieaugt.Tas viss ir izraisījis izmaiņas pieprasījumā pēc mērķa materiāliem lietojumprogrammu nozarē.Tālāk mēs iepazīstināsim ar galvenajām mērķa pielietojuma jomām un mērķa attīstības tendencēm šajās jomās.
1. Mikroelektronika
Visās lietojuma nozarēs pusvadītāju nozarē ir visstingrākās kvalitātes prasības mērķa izsmidzināšanas plēvēm.Tagad ir ražotas 12 collu (300 deguna asiņošanas) silīcija vafeles.Starpsavienojuma platums samazinās.Silīcija plāksnīšu ražotāju prasības mērķa materiāliem ir liela mēroga, augstas tīrības pakāpes, zemas segregācijas un smalkgraudainības, tādēļ mērķa materiāliem ir jābūt labākai mikrostruktūrai.Kristālisko daļiņu diametrs un mērķa materiāla viendabīgums tiek uzskatīti par galvenajiem faktoriem, kas ietekmē plēves nogulsnēšanās ātrumu.
Salīdzinot ar alumīniju, vara ir augstāka elektromobilitātes pretestība un zemāka pretestība, kas var atbilst vadītāju tehnoloģijas prasībām submikronu elektroinstalācijā zem 0,25 um, taču tas rada citas problēmas: zema saķeres izturība starp vara un organiskās vides materiāliem.Turklāt tas ir viegli reaģējams, kas mikroshēmas lietošanas laikā izraisa vara starpsavienojuma koroziju un ķēdes pārrāvumus.Lai atrisinātu šo problēmu, starp vara un dielektrisko slāni jāuzstāda barjeras slānis.
Vara starpsavienojuma barjeras slānī izmantotie mērķa materiāli ir Ta, W, TaSi, WSi utt. Bet Ta un W ir ugunsizturīgi metāli.To ir salīdzinoši grūti izgatavot, un kā alternatīvi materiāli tiek pētīti sakausējumi, piemēram, molibdēns un hroms.
2. Displejam
Plakanā paneļa displejs (FPD) gadu gaitā ir ļoti ietekmējis uz katodstaru lampām (CRT) balstīto datoru monitoru un televīzijas tirgu, kā arī veicinās tehnoloģiju un tirgus pieprasījumu pēc ITO mērķa materiāliem.Mūsdienās ir divu veidu ITO mērķi.Viens no tiem ir pēc saķepināšanas izmantot indija oksīda un alvas oksīda pulvera stāvokli nanometru stāvoklī, otrs ir izmantot indija alvas sakausējuma mērķi.ITO plēvi var izgatavot, izmantojot līdzstrāvas reaktīvo izsmidzināšanu uz indija-alvas sakausējuma mērķa, taču mērķa virsma oksidēsies un ietekmēs izsmidzināšanas ātrumu, un ir grūti iegūt liela izmēra sakausējuma mērķi.
Mūsdienās pirmo metodi parasti izmanto, lai ražotu ITO mērķa materiālu, kas ir izsmidzināšanas pārklājums ar magnetrona izsmidzināšanas reakciju.Tam ir ātrs nogulsnēšanās ātrums.Plēves biezumu var precīzi kontrolēt, vadītspēja ir augsta, plēves konsistence ir laba, un pamatnes saķere ir spēcīga.Bet mērķa materiālu ir grūti izgatavot, jo indija oksīds un alvas oksīds nav viegli saķepināti kopā.Parasti kā saķepināšanas piedevas tiek izvēlēti ZrO2, Bi2O3 un CeO, un var iegūt mērķa materiālu ar blīvumu 93% ~ 98% no teorētiskās vērtības.Šādi veidotas ITO plēves veiktspējai ir lieliska saistība ar piedevām.
Izmantojot šādu mērķa materiālu, iegūtās ITO plēves bloķējošā pretestība sasniedz 8,1 × 10n-cm, kas ir tuvu tīras ITO plēves pretestībai.FPD un vadošā stikla izmērs ir diezgan liels, un vadošā stikla platums var sasniegt pat 3133 mm.Lai uzlabotu mērķa materiālu izmantošanu, tiek izstrādāti ITO mērķmateriāli ar dažādu formu, piemēram, cilindrisku formu.2000. gadā Nacionālā attīstības plānošanas komisija un Zinātnes un tehnoloģiju ministrija iekļāva ITO lielus mērķus Pamatnostādnēs galvenajām informācijas nozares jomām, kuras pašlaik ir prioritāras.
3. Krātuves izmantošana
Runājot par uzglabāšanas tehnoloģiju, augsta blīvuma un lielas ietilpības cieto disku izstrādei ir nepieciešams liels skaits milzu plēves materiālu.CoF ~ Cu daudzslāņu kompozītmateriāla plēve ir plaši izmantota milzu pretestības plēves struktūra.Magnētiskajam diskam nepieciešamais TbFeCo sakausējuma mērķa materiāls joprojām tiek izstrādāts.Magnētiskajam diskam, kas ražots ar TbFeCo, ir liela uzglabāšanas ietilpība, ilgs kalpošanas laiks un atkārtota bezkontakta dzēšana.
Fāzu maiņas atmiņa, kuras pamatā ir antimons, germānija telūrīds (PCM), uzrādīja ievērojamu komerciālo potenciālu, kļūst par NOR zibatmiņas un DRAM tirgus daļu par alternatīvu uzglabāšanas tehnoloģiju, tomēr ieviešanas procesā, kas ir ātrāk samazināts, viens no izaicinājumiem pastāvēšanas ceļā ir atiestatīšanas trūkums. pašreizējo ražošanu var pazemināt vēl vairāk pilnībā noslēgtu vienību.Atiestatīšanas strāvas samazināšana samazina atmiņas enerģijas patēriņu, pagarina akumulatora darbības laiku un uzlabo datu joslas platumu – visas svarīgās funkcijas mūsdienu uz datiem orientētās, ļoti pārnēsājamās patērētāju ierīcēs.
Publicēšanas laiks: 09.09.2022